Samsung освоила производство 4-гигабитных чипов памяти DDR3 по новому 40-нм техпроцессу. До сих пор компания использовала эти нормы только для создания менее емких чипов. Новый техпроцесс позволит компании создавать 16-гигабайтные модули памяти для настольных компьютеров, которые будут отличаться низким энергопотреблением. По уверению производителя экономия составит 35%.
Еще больший выигрыш ожидается в серверном сегменте. Здесь 4-гигабитные чипы будут использованы для 32-гигабайтных модулей. В ближайшее время по новому техпроцессу будет выпускаться 90% подобных микросхем. Ну а ноутбуки смогут получить модули по 8 Гбайт.
Новые чипы поддерживают напряжение питания 1.50 и 1.35 В. Пропускная способность модулей на их базе составит 1.6 Гбит/с.
