В этом месяце Samsung и Elpida начинают производство оперативной памяти DDR3 по новому 50 нм техпроцессу. Чипы будут иметь более высокую плотность данных и скорость работы, низкие латентность, энергопотребление и стоимость.
Техпроцесс Elpida использует аргоновые лазеры с длиной волны 193 нм в комбинации с медными соединениями, которые на четверть быстрее стандартных алюминиевых. Стандартная площадь чипа составляет 40 квадратных миллиметров, что позволяет разместить на одной пластине больше микросхем, а это сказывается на цене.
Новые чипы поддерживают скорость передачи данных до 2.5 Гбит/с при стандартном напряжении 1.5 В, но также может работать при напряжении 1.2 В, что соответствует пропускной способности 1.6 Гбит/с. Начальная емкость чипа составит 1 Гбит.
Модуль памяти Сorsair Dominator GT 2 ГГц CL7 DDR3, продемонстрированный на CES, будет использовать новые чипы Elpida. Samsung прибегнет к новому техпроцессу для производства 2 Гбит чипов DDR3. В свою очередь Qimonda презентовала свой более тонкий техпроцесс 46 нм в ноябре, а в середине года планирует начать массовое производство по нему чипов памяти. Другие производители также не остаются в стороне.
Ожидается, что к моменту выхода платформы Lynnfield от Intel и Windows 7, то есть в третьем квартале, цены на DDR3 снизятся в 10 раз.
