Компания Samsung создала первый в мире 4 Гбит чип оперативной памяти DDR3. Микросхема изготовлена с применением 50 нм техпроцесса производства и позволит выпускать модули RAM для ноутбуков объемом 8 гигабайт. Стандартный модуль памяти для настольных компьютеров в этом случае будет такого же объема, а регистровая память для рабочих станций вырастет до 16 Гбайт на планку.
Более тонкий процесс позволяет выпускать более экономичные и холодные модули памяти, что скажется на скорости их работе. Samsung ожидает до 20% экономии энергии на стандартной двухгигабитной планке. При увеличении объема в 8 раз, экономия достигнет 40%. Скорость передачи данных при этом вырастет до 1.6 Гбит/с. Компания не сообщила, когда ожидается массовый выпуск оперативной памяти по новому техпроцессу.
Напомним, что современные мобильные модули памяти DDR2 обеспечивают объем более 2 Гбайт только в крайне редких случаях. DDR3 уже существуют в вариантах по 4 Гбайта. Но теперь можно будет установить в ноутбук до 16 Гбайт оперативной памяти.
