Samsung объявила, что первой выведет на рынок оперативную память высокой плотности. Модули емкостью 16 и 32 Гбайт предназначаются для серверов. Они создаются с использование 4-гигабитных чипов, выполненных по нормам 40 нм. При том же энергопотребление новые чипы быстрее и обладают большей емкостью.
В каждом модуле от Samsung будет использовано по 36 таких микросхем DDR3. Таким образом, двухпроцессорный сервер сможет работать с 384 Гбайт оперативной памяти. Ранее на один сервер могло приходиться вдвое меньше ОЗУ.
Производители серверов получат выигрыш при установке равного объема памяти. 6 модулей по 32 Гбайт против 12 по 16 Гбайт означают снижение потребления энергии на 40%, а также увеличение частоты с 800 до 1066 МГц за счет меньшего количества планок.
Массовое производство 40 нм модулей начнется в апреле. Во второй половине года Samsung планирует вывести на рынок 30 нм память.
