Группа инженеров и ученых из IBM и ряда американских университетов смогли создать нанотрубки, переплетенные с материалами, которые позволяют создавать транзисторы.
Несколько тонких слоев этих материалов контролируют поток электронов: запуская и останавливая его, как это происходит в современных процессорах. Материалами, о которых идет речь, являются кремний и германий. Главным вызовом для группы было вплетение этих элементов в нанотрубки.
Отличием транзисторов, созданных учеными, является и то, что они располагаются не на плоской поверхности, а растут вертикально, что позволяет достичь большей плотности элементов.
До внедрения новой технологии еще достаточно далеко. Прежде всего ученым необходимо стандартизировать производство таких нанотрубок, чтобы их можно было использовать в полупроводниковой промышленности. В целом процесс создания трубок воспроизводим, но ему не хватает универсальности.