TSMC заявила, что начала работу над 5-нм техпроцессом. Пока она находится на ранней стадии. Компания ищет решение для литографии.
Рассматривается возможность использования экстремальной ультрафиолетовой литографии (EUV) вместо иммерсионной технологии.
Испытания пока показывают, что лучший результат пока может дать сочетание технологии. Использование только иммерсионной литографии обещает очень высокие затраты, в то время как EUV при всем ее потенциале, еще остается очень сырой.
IBM в 2015 году уже подтвердила возможность использования иммерсионной технологии в 7-нм техпроцессе. Она превосходит EUV при использовании кремниево-германиевых транзисторов.
В октябре 2015 года TSMC уже смогла произвести рабочий модуль SRAM по 7-нм процессу. Компания собирается внедрить его в 2017 году. На 2016 год запланировано внедрение 10-нм процесса.
