Micron и Tokyo Electron намерены в 2018 году начать выпуск магниторезистивной памяти. Они подписали соглашение, в рамках которого будет вестись разработка технологии массового производства модулей MRAM.
Считается, что MRAM заменит DRAM в качестве оперативной памяти. Ее особенностью является то, что она может сохранять данные при отключении питания. Также MRAM обладает на порядок более высокой емкостью и позволяет снизить потребление энергии на две третьих.
Помимо двух основных участников, в проекте также задействованы Tohoku University, Shin-Etsu Chemical, Renesas Electronics и Hitachi. Аналогичные разработки сейчас ведут Samsung и совместно Toshiba с SK Hynix.
