Intel и Micron представляю новый тип неволатильной памяти, которая будет в 1000 раз быстрее NAND-флэш. Новая память 3D XPoint уже запускается в производство.
Помимо увеличения скорости работы, разработчики еще и обещают увеличение плотности в 10 раз.
Основным достоинством создатели памяти считают значительно сокращения времени задержки реакции подсистемы данных на команды процессора. Архитектура 3D XPoint предполагает бестранзисторные кросс-точки, что создает прямую трехмерную структуру ячеек памяти. В итоге каждая ячейка может адресоваться индивидуальна. В итоге данные могут записываться и читаться меньшими блоками, что должно ускорить процесс чтения и записи. Ячейки памяти вызываются подачей разного напряжения на каждый селектор, что и избавляет от необходимости в еще одном транзисторе.
На данном этапе 128 Гбит информации размещаются в одной микросхеме в двух слоях. Однако в будущем можно будет увеличить число слоев и повысить емкость микросхем.
Разработчики намерены предоставить образцы памяти нескольким партнерам уже к 2015 года.
