Память с фазовым переходом хранит данные за счет изменения структуры кристаллической решетки. Сегодня в опытных образцах используются смеси из германия, сурьмы, и теллурия (GST). У существующих вариантов на кристаллизацию после разогрева, иначе говоря запись бита информации, уходит 1-10 нс, что сравнительно мало по сравнению с теоретическим пределом.
Ученым из Кембриджа во главе со Стивеном Эллиотом удалось ускорить процесс записи в 10 раз, предварительно организовав атомы с помощью слабого электрического поля. Они поместили 50-нм цилиндр GST между двумя титановыми электродами и пропустили через материал ток напряжением 0.3 В. В результате и удалось увеличить скорость кристаллизации, от которой и зависит быстродействие PRAM.
Опытный образец исследователей успешно выдержал 10 тысяч циклов записи.
Сегодня увеличение скорости кристаллизации и быстродействия памяти PRAM в целом является, наряду с производственными проблемами, наиболее важной работой для будущего массового внедрения этого вида памяти.
