Hynix Semiconductor и Toshiba заключили стратегическое партнерство по созданию магниторезистивной памяти. После того, как технология будет разработана, компании будут вместе производить новый вид продукции в рамках единого предприятия.
На данном этапе партнеры подписали соглашение о кросс-лицензировании и взаимных поставках материалов. MRAM считается одним из перспективных направлений развития памяти, которая может выступать как в качестве оперативного хранилища данных, так и постоянного.
MRAM работает аналогично DRAM. Только вместо прохождения электрического сигнала, здесь используется разность в магнитном состоянии ячейки. При записи данных происходит переориентация магнитного поля, что в последующем позволяет получать 0 и 1. Новая память неволатильна, обладает высокой скоростью работы и эффективностью.
