На конференции Emerging Tech обсуждались перспективы развития накопителей и замена флэш и оперативной памяти. Сегодня рынок требует от запоминающих устройств низкой латентности и высокой пропускной способности. Последнее решается за счет установки объемного буфера, но в этом случае страдает латентность.
Большие объемы для накопителей могут обеспечить голографические диски. В них данные записываются слой за слоем, располагаясь в трех измерениях. Стандартный DVD таким образом может вмещать до 500 Гбайт данных. Механизм привода для голографических дисков полностью совместим с современным для оптики. Кроме того, возможно создание устройств, способных копировать такой диск в течение 5-10 секунд.
Проект MRAM предполагает сочетание магнитных и кремниевых технологий. Магнитный материал в MRAM заменит конденсаторы. Два магнитных слоя станут преградой для потока электронов. Когда ориентация магнитов будет одинаковая они смогут пропускать электрический ток, в противном случае – нет. Время доступа в такой памяти может достигать 10 наносекунд, а срок службы – 20 лет.
Однако пока производители не способны создать модули достаточного объема. Производство ограничивается модулями в 16 Мбайт. Но исследователи работают над увеличение емкости. В будущем подобные чипы могут заменить не только оперативную память, но и использоваться в качестве буфера в жестких дисках или SSD, существенно увеличивая их производительность.
