Компании AMD, IBM и Toshiba сообщили, что совместно им удалось создать основу того, что в будущем станет 22 нм техпроцессом. Ими были созданы статичные ячейки памяти со случайным доступом размером 0.128 микрометров с использованием той же технологии металлического затвора, что применяется в современных процессорах. При этом компаниям удалось избежать утечек электричества и других проблем, связанных с миниатюризацией транзосторов.
Благодаря разработке компаний площадь транзистора уменьшилась вдвое по сравнению с соверменными образцами. Когда эта технология будет использована для производства памяти по техпроцессу 22 нм неизвестно. Однако точно можно сказать, что новый дизайн транзисторов позволит увеличить емкость модулей RAM, которая сегодня в большинстве случаев ограничена 4 Гбайт на планку.
Toshiba также отметила, что дизайн был опробован на ячейках вдвое меньшего размера. При этом транзисторы оказались значительно стабильнее предыдущих экспериментов.
