Samsung готовится начать выпуск SSD на базе флеш-памяти типа Z-NAND. Она обещает высокое быстродействие.
Z-NAND не обладает высокой емкостью. В ней на одну ячейку приходится один бит. Также ячейки памяти располагаются в один слой. Z-NAND должна быть быстрее своих более емких аналогов с высокой плотностью данных. Чипы также будут меньше по размерам, чем более распространенная сейчас многоуровневая памяти.
Samsung Z-SSD будет конкурентом Intel 3D Xpoint, где ячейки памяти имеют не только горизонтальные, но и вертикальные связи.
Ожидается, что массовое производство микросхем начнется в 2018 году. Тогда появятся, скорее всего, и Z-SSD.
