Компания Samsung представила твердотельные накопители с NAND-памятью четвертого поколения, емкость которых может достигать 32 Тбайт.
Новая технология V-NAND включает 64 слоя, что на 30% больше по сравнению с ее предшественницей. Плотность кристалла составляет 512 Гбит, а скорость передачи данных достигает 800 Мбит/с.
Первым накопителем с новой памятью стал 2,5-дюймовый SSD с интерфейсом SAS, который состоит из 512 новых микросхем V-NAND, сгруппированных по 16 штук в 32 корпусах. Емкость данного накопителя составляет 32 Тбайта, в продажу он поступит в 2017 году.
Также компания представила однокорпусный SSD объемом 1 Тбайт в корпусе типа BGA. Он включает кристаллы V-NAND, мобильную память LPDDR4 и новый контроллер Samsung. Скорость чтения данного накопителя достигает 1500 Мбит/с, записи - 900 Мбит/с.
К 2020 году компания обещает нарастить емкость SSD до 100 Тбайт.
