Компании Samsung и Hynix займутся производством памяти HBM2. Она станет доступна в первой половине 2016 года, а основными ее потребителями станут производители флагманских видеокарт.
Летом 2015 года в продажу поступил графический ускоритель Radeon R9 Fury X с HBM-памятью первого поколения, которая вкупе с 1024-разрядной шиной способна обрабатывать 512 Гбайт данных в секунду, что в 4 раза превосходит возможности GDDR5. Предполагается, что память НВМ2 позволит передавать 1 Тбайт данных в секунду по 2048-разрядной шине. Для сравнения, скорость GDDR5 – 28 Гбайт/с на один чип.
Прототипы памяти НВМ2 будут показаны 31 января 2016 года на конференции ISSCC 2016, где Hynix представит ускоритель с 64 Гбайтами памяти, а Samsung покажет продукт со скоростью 307 Гбайт/с.
