Samsung объявила о выпуске на высокопроизводительной памяти третьего поколения HBM2E (Flashbolt).
Новый 16-гигабайтный чип HBM2E предназначен для максимизации систем высокопроизводительных вычислений (HPC) и призван помочь ускорить суперкомпьютеры, системы анализа данных с искусственным интеллектом и графические ускорители.
Высокая емкость была достигнута благодаря вертикальному размещению восьми слоев DRAM-памяти на 10-нм матрице. Flashbolt от Samsung обеспечивает скорость передачи данных до 3,2 Гбит/c и пропускную способность памяти 410 Гбайт/с на стек. Для сравнения предшествующий Aquabolt характеризуется показателем в 307 Гбайт/с.
Серийное производство новой памяти начнется в первой половине этого года.
