Hynix объявила о разработке модуля оперативной памяти DDR4 емкостью 128 Гбайт. В нем используются 8-гигабитные чипы, выпущенные по 20-нм техпроцессу. До этого момент наиболее емким модулем был 64-гигабайтный.
Новый модуль работает на частоте 2133 МГц. Он позволяет передавать до 17 Гбайт в секунду. Напряжение питания составляет 1,2 В, что ниже, чем у DDR3, которая работает на 1,35 В.
Hynix планирует выпускать на базе 8-гигабитных чипов DDR4 модули емкостью 64 и 128 Гбайт.
Ожидается, что DDR4 будет сертифицирован в этом году и массовое внедрение новой памяти начнется в 2015. Основным стандартом данный тип памяти станет в 2016 году.
