Компания SK Hynix представила 16-Гбитные чипы DRAM DDR5, которые были созданы с использованием второго поколения техпроцесса класса 10 нм.
Новые технология позволила снизить напряжении с 1,2 до 1,1 В, в результате чего энергопотребление чипов уменьшилось на 30% по сравнению с памятью DDR4. При этом скорость передачи данных выросла с 3200 до 5200 Мбит/с. Таким образом, новые чипы на 60% быстрее предшественников.
Модуль DDR5-5200 RDIMM характеризуется максимальной пропускной способностью 41,6 Гбайт/с, что эквивалентной 11 видеофайлам в качестве Full HD (3,7 Гбайт каждый), переданным за 1 секунду. Однако новинка не совместима с разъемом DDR4.
Массовое производство новых модулей начнется в 2020 году.
