Globalfoundries начала монтаж оборудования Through-Silicon Vias на своей Fab 8. Оно позволит создавать соединения внутри кремниевой подложки. Это даст возможность размещать ядра на разных уровнях. Планируется, что технология начнет применяться в рамках техпроцесса 20 нм.
TSV создает отверстия в кремниевой подложке, которые заполняются медью. Таким образом обеспечивает электропроводящее соединение. Теперь части процессора могут располагаться не на одной поверхности, а на нескольких уровнях. Подобная технология может быть использована, например, для размещения чипов памяти над процессорными ядрами. Это позволит сократить потребление питания и увеличить пропускную способность памяти.
Трехмерная компоновка систем-на-чипе также может стать способом сделать процессоры более компактными и экономичными. Она проще и дешевле, чем традиционное масштабирование транзисторов. Внедрение TSV в первую очередь позволит развернуться создателям систем-на-чипе.
Fab 8 является крупнейшим полупроводниковым производством в США. На ней выпускаются процессоры по технормам 32 и 28 нм. Планируется освоение 20 нм. Ожидается, что TSV начнет работать в третьем квартале этого года.
