Очередной прорыв случился в разработке новых типов памяти. Теперь в центре внимания оказалась память с изменяемым сопротивлением RRAM. Корейские ученые описали данный тип памяти на базе оксида тантала. Использование этого материала означает еще один шаг на пути к коммерческому использованию RRAM.
В RRAM сильный электрический заряд меняет структуру материала, который обычно выступает как изолятор, добиваясь снижения сопротивления. На платиновом электроде размещается слой изолирующего оксида тантала Та2О5 и базовый слой оксида ТаО2. При пропуске сильного электрического заряда, изолирующий оксид может из изолятора превращаться в проводник.
Природа процесса трансформации еще не до конца понята учеными. Но скорее всего, речь идет о высвобождении ионов кислорода, которые пробивают в материале пути для тока.
Предварительные данные дают очень хорошие характеристики для материала. Он позволяет делать очень тонкие микросхемы памяти, отличается высокой скоростью работы и надежностью. Такая память может стабильно работать при температуре 85 градусов в течение 10 лет. Но все это пока еще очень далеко от масштабного производства.
