Intel подтверждает, что процессоры нового поколения, пока известные под кодовым именем Penryn, будут поддерживать SSE4 и иметь транзисторы с металлическим затвором. Корреспонденты DailyTech получили это подтверждения из уст Марка Бохра и Стива Смита, ответственных лиц Intel, которые как никто другой осведомлены о будущей архитектуре.
Первоначально Penryn было лишь кодовым именованием для варианта Conroe, выполненного по технормам 45 нм. Однако позднее компания решила связать переход с 65 нм техпроцесса на 45 нм с новой архитектурой. Итак, двухъядерный Penryn будет иметь 410 миллионов транзисторов против 298 миллионов у современного Conroe. Чип памяти SRAM, выполненный по нормам 45 нм и представленный в прошлом году, содержал 1 миллиард транзисторов на площади в 119 мм2. Поэтому есть все основания полагать, что 410 миллионов Penryn'a уместятся на одном квадратном дюйме.
Набор инструкций SSE4 первоначально планировалось реализовать только в архитекторуе Nehalem, однако, теперь стало известно, что он появится в Penryn. В Intel обещают чуть ли не двукартное увеличение производительности в мультимедийных приложениях.
Penryn будет выпускаться в форм-факторе LGA775. Процессоры будут совместимы с популярным разьемом физически, но не электрически. Скорее всего, установить его в старые материнские платы не получится.
Также в Penryn будет использован металлический затвор транзистора вместо современного полисиликонового. Сменится материал, изолирующий транзистор от подложки: вместо двуокиси кремния, это будет другой диэлектрик. Использование новых материалов даст 20% прирост в пропускной способности транзисторов.
