Известный производитель оперативной памяти Micron Technology начал производство памяти стандарта DDR3 по 78 нм техпроцесса. Был продемонстрирован гигабитный модуль памяти нового стандарта. Массовое производство модулей будет начато в начале 2007 года. Тогда же инженеры компании предполагают освоить и выпуск 2-гигабитных планок. Весь модельный ряд будет включать модули объемом от 512 MB до 4 GB в форм-факторах FBDIMM, UDIMM, SODIMM, и RDIMM, сообщает DigiTimes.
DDR3 обещает значительное увеличение производительности и высокую энергоэффективность. Представители компании утверджают, что документ из 100 тысяч страниц может быть передан с помощью такого модуля всего за одну секунду. Уменьшенное до 1.5 В напряжение питания позволит снизить энергозатраты на 30%.
С поддержкой нового стандарта памяти на уровне платформы пока все не так однозначно, как с производством самих модулей RAM. Последние будут доступны уже в конце этого начале следующего годов. В то время как поддерживающие их материнские платы будут готовы лишь к концу 2007 года. Так Intel планирует, что переходный период на DDR3 закончится лишь в 2009 году.
Ожидается, что первоначально будут доступны модули DDR3-800, DDR3-1066 и DDR3-1333. В будущем их скорость возрастет до уровня DDR3-1600. Причем, как отмечается, такие быстрые планки памяти будут греться и потреблять энергии больше, нежели современные DDR2-800.
