Samsung объявила, что начала производство первых образцов многоуровневой памяти NAND-флжш по техпроцессу 20 нм. На данный момент это самый тонкий из освоенных техпроцессов. Как правило, производители памяти находятся на переднем фронте освоения более тонких норм выпуска полупроводников.
По 20 нм нормам выпускаются чипы памяти, которые будут использоваться в картах SD и в качестве накопителей в смартфонах. Речь идет о 32-гигабитных микросхемах, что в результате дает линейку носителей емкостью от 4 до 64 Гбайт.
По данным компании SD-карточки на базе новых чипов будут на 30% быстрее предыдущего поколения. Всего год назад Samsung представила 30-нм техпроцесс для выпуска NAND-памяти.
