Samsung начала массовое производство памяти GDDR6. Она будет использоваться в ускорителях нового поколения.
Микросхемы производятся по технологии 10 нм, что обеспечивает вдвое большую плотность размещения элементов по сравнению с 20-нм памятью GDDR5.
Компания обещает скорость передачи данных до 18 Гбит/с на один контакт, что в итоге обеспечивает пропускную способность в 72 Гбайта/с при питании в 1,35 В.
В итоге ожидается заметный рост производительности видеокарт, как в играх, так и для майнинга. Вместе с Samsung GDDR6 в 2018 году начнут производить также SK Hynix и Micron.
