IBM, Samsung и GLOBALFOUNDRIES показали первый чип, выпущенный по технологии 5 нм. Для его производства впервые была применена ультрафиолетовая литография EUV. Также компании использовали транзисторы GAA.
Их особенностью является вертикальная компоновка стока и истока, однако развернутая на 90 градусов. В итоге ток течет в горизонтальном направлении, а размеры транзистора становятся еще меньше, плотность из размещения возрастает. Подобное решение может работать и при техпроцессе 3 нм.
Производство таких транзисторов на кремниевой пластине достаточно сложно. Сначала в ней создаются несколько слоев из кремния и соединения кремния и германия, затем слои второго удаляются в нужных местах, а вместо них путем атомарного замещения в получившиеся ячейки помещается проводник.
IBM сообщает, что новая технология и техпроцесс позволяет на 40% увеличить производительность по сравнению с 10-нм чипами, а снижение потребления энергии может составить 75%.
