SK Hynix представила первый модуль памяти LPDDR4X для мобильных устройств емкостью 8 Гбайт. Новинка построена на базе 16-гигабитных микросхем компании.
LPDDR4X отличается от LPDDR4 пониженное энергопотребление. Оно составляет 0,6 В против 1,1 В. Новый модуль имеет пропускную способность в 34,1 Гбайта/с.
Размер самого модуля уменьшен на 30% до 12х12,7 мм.
Предполагается, что в 2017 году флагманские смартфоны начнут получать модули памяти в 8 Гбайт. В среднем в 2016 году емкость оперативной памяти в премиумных аппаратах составляла 3,5 Гбайт. К 2020 году она может достигнуть 6,9 Гбайт.
