Qualcomm будет выпускать Snapdragon 835 вместе с Samsung по 10-нм процессу. Известно, что новый процесс обеспечит процессору производительность на 27% выше, чем у Snapdragon 820, а потреблять он будет на 40% меньше энергии.
Также 10-нм процесс позволит уменьшить размеры чипа на 30%.
Новинка получит архитектуру Kryo 280, графику Adreno 540. Ускоритель, по обещаниям компании, будет на 25% производительнее предыдущего поколения, в том числе 10-битное кодирование цвета.
Встроенный модем LTE будет соответствовать не 12, а 16 категории, что позволит обеспечить пиковую загрузку до 1 Гбит/с. Snapdragon 835 также получит поддержку 802/11ad, стандарта известного также, как WiGig.
