Новый флагманский процессор Qualcomm Snapdragon 830 получит поддержку технологии быстрой зарядки Quick Charge 4.0, которая позволит передавать до 28 Вт мощности. Для сравнения, предел Quick Charge 3.0 составляет 18 Вт.
Это означает, что новые флагманские смартфоны можно будет полностью зарядить примерно за полчаса. Компания усовершенствовала новую технологию под названием INOV (Intelligent Negotiation for Optimum Voltage), которая позволяет процессору тонко контролировать работу аккумулятора во время зарядки, подавая токи различной силы.
Официальный анонс процессора Snapdragon 830 ожидается в конце 2016 или начале 2017 года. Одним их первых смартфонов на его основе может стать Galaxy S8 от Samsung.
