Samsung назвала ориентировочную дату релиза памяти GDDR6. Она заменит GDDR5X в 2018 году.
Новая видеопамять будет иметь пропускную способность в 512 Гбайт/с при использовании 256-битной шины и 768 Гбайт/с — при использовании 384-битной.
Серьезной инновацией в GDDR6 стало использование LP4X, методики синхронизации напряжения питания и рабочей частоты. Благодаря ему контроллер памяти может сэкономить до 20% энергии по сравнению с GDDR5X.
Наряду с GDDR6 была представлена и третья версия HBM3. Она также ожидается в 2018 году. Пропускная способность интерфейса будет исчисляться терабайтами в секунду.
