Японские ученые разработали новый тип флэш-памяти. Согласно опубликованным данным исследования National Institute of Advanced Industrial Science and Technology и Токийского университета новая память является настоящим долгожителем.
Современные чипы флэш-памяти могут прожить около 10 лет или же могут быть перезаписаны около 10000 раз. Прототип ферроэлектрической памяти переживет их на столетия. Секрет новинки в лучшем масштабировании. Например, прототип был изготовлен по технормам 10 нм. И это только в начале исследований! Также на время жизни новой памяти положительно влияет слабый ток, используемый при записи ячеек.
Новые разработки позволят упрочить позиции флэш-памяти относительно жестких дисков. Ведь последние пока что превосходят не только по объему, скорости, но еще и долговечности (если только их постоянно не ронять). Вполне возможно, что расклад сил изменится в пользу твердотельных носителей данных.
