Samsung начала производство 4-гигабайтных чипов оперативной памяти с интерфейсом High Bandwidth Memory второго поколения. Они предназначены для использования в высокопроизводительных системах, графических станциях, сетях и серверах.
Микросхемы выпускаются по 20-нм техпроцессу. Компания использует новую архитектуру с вертикальными соединениями. Так между собой связываются четыре 8-гигабитных ядра. В каждом из них присутствует 5000 отверстий для вертикальных соединений.
HBM 2 по данными компании в семь раз быстрее обычной DRAM. Она обеспечивает скорость передачи данных до 256 Гбайт/с. Для сравнения аналогичная микросхема графической памяти GDDR5 обеспечивает пропускную способность в 36 Гбайт/с.
Также HBM2 обладает вдвое большей производительностью в расчете на ватт потребляемой мощности.
В 2016 году Samsung планирует наладить выпуск и 8-гигабайтных чипов новой памяти.
