Samsung представила новые модули оперативной памяти DDR4 емкостью 128 Гбайт. Они предназначены для серверов и дата-центров. Модули выполнены по технологии TSV.
Она предполагает иное подключение микросхем памяти. Они теперь подключаются напрямую вертикальными микроконнекторами, что оптимизирует работу чипов. Ранее для этого использовались проводные соединения с буферной микросхемой. Кроме того, такой дизайн позволяет размещать микросхемы более плотно.
В анонсированных модулях используется 144 чипа DDR4 объединенные в 36 групп по 4 Гбайта. Чипы пускаются по 20-нм технологии.
Скорость передачи данных у модулей достигает 2667-3200 Мбит/с.
