Ученые обещают, что новая технология нанопроводов позволит создавать носители гораздо большей емкости, чем любые из ныне существующих. Вообще над прикладным использованием нанопроводов и микрочастиц подобных им работают исследователи из различных областей науки. Одним из таких направлений стала работа сотрудников Пенсильванского университета над применением этих технологий в накопителях будущего.
Хотя накопители постоянно наращивают вместимость и эволюционируют, в них всех реализован битовый подход к хранению и обработке информации. Данные в них представляются с помощью 0 и 1. И вне зависимости от того, насколько новы устройства, этот принцип в них реализован одинаково. Как отмечают многие исследователи, существенно увеличить вместимость устройств хранения информации можно путем введения третьего значения. И именно это и делает новая технология, разработанная в Пенсильванском университете.
Поверхность нанопровода состоит из германия и теллурида, а серцевина включает также и сурьму. Они являются прекрасными фазосдвигающими материалами. Под воздействием электрического поля структура нанопровода меняется с кристаллической на аморфную. Более того, и поверхность и сердцевина могут независимо друг от друга менять свою структуры. Именно здесь и скрыт секрет: в твердом состоянии, когда преобладают резистивные свойства, значение может быть принято за 0, в аморфном, когда сопротивление существенно сокращается – 1, а когда сердцевина и поверхность имеют различную структуру – 2. За счет добавления третьего состояния удаться многократно увеличить плотность записи на устройства, использующие эту технологию. Это может стать началом новой эры в компьютерном мире.