Samsung представила новые флэш-накопители для смартфонов среднего уровня. Память имеет 3-битный NAND-дизайн и поддерживает спецификации eMMC 5.0. Емкость чипов достигает 128 Гбайт. Новые накопители обладают меньшей производительностью, чем 128-гигабайтные модули, использованные в Galaxy S6. Они предназначены для менее дорогих устройств.
Новинки обеспечивают скорость чтения на уровне 260 Мбайт/с, а также до 6000 операций ввода/вывода в секунду при чтении и до 5000 при записи. В Samsung утверждают, что этого достаточно для многозадачных операций.
Можно ожидать, что 128 Гбайт памяти в смартфонах среднего уровня появятся уже в 2015 году.
