Qualcomm приступила к раздаче партнерам тестовых образцов своих новых LTE-чипов. Третье поколение семейства Qualcomm Gobi LTE в видео моделей MDM9225 и MDM9625 выполнено по техпроцессу 28 нм и содержит модемы с возросшими скоростями при снизившемся энергопотреблении.
Приведенные чипы становятся залогом наличия сотовой связи для широкого ряда продуктов от смартфонов и планшетов до ноутбуков и портативных хотспотов. Наряду с поддержкой 4G обеспечивается работа с 3G и 2G. По словам Qualcomm, ее изделия способны обеспечивать скорость передачи данных до 1 Гбит/с для LTE Advanced, до 150 Мбит/с для LTE 4 категории и до 84 Мбит/с для MC-HSPA+.
Как уже было сказано, снижено энергопотребление на фоне предшественников в лице 45 нм MDM9x00 и 28 нм MDM9x15, вдобавок уменьшено занимаемое на плате место. Qualcomm ожидает, что первые устройства с новыми чипами поступят в продажу в следующем году. Потенциальные заинтересованные партнеры пока не называются. хотя в их числе должны оказаться ведущие Android-производители.
