IBM совместно с TDK разрабатываем новый тип RAM - Spin Torque Transfer RAM или STT-RAM. В данном типе памяти сохранение данных будет достигаться за счет изменения направления магнитного поля. Оно отражается на сопротивлении и в результате появляется возможность распознавать 0 и 1.
Согласно плану компании в течение ближайших 4 лет должны представить 65 нм прототип STT-RAM. Параллельно с гигантами вывести ее на рынок пытается калифорнийский старт-ап Grandis.
Ранее IBM работала над другим типом магнитной памяти – MRAM. Однако компания столкнулась со значительными трудностями при уменьшении транзисторов. MRAM не может выполняться по технормам менее 65 нм.
Сегодня на роль энергонезависимой памяти будущего претендуют STT-RAM и Phase-Change RAM. При этом первая из них быстрее, а вторая надежнее. Разработка нового типа памяти крайне важна, так как без нее не осуществить планов по созданию System-on-Chip – компьютера в одной микросхеме, сообщает СNet! News.
