Корпорация Intel объявила, что стала первой компанией, которая смогла начать производство чипов памяти с использованием 45 нм техпроцесса (технология получила кодовое название P1266).
Официальные представители Intel, к сожалению, не раскрыли никаких дополнительных данных о планах в этом направлении, за исключением подтверждения того факта, что при изготовлении новых чипов не будет использоваться так называемая технология SOI (silicon-on-insulator – технология "кремний на изоляторе").
Новые кристаллы будут производиться на фабрике расположенной в США в штате Орегон и на двух новых фабриках в Аризоне (Fab32) и в Израиле (Fab28). Основными преимуществами новейших 45 нм чипов памяти перед ныне выпускаемыми Intel 65 нм является двадцатипроцентное увеличение скорости переключения затвора транзистора памяти, удвоение плотности транзисторов на подложке, а также снижение энергопотребления на 30%. Правда, сразу следует сделать оговорку, что раньше середины 2007 года ожидать начала массового выпуска новых микросхем памяти не стоит: в ближайшие 15 месяцев инженеры Intel будут отлаживать технологию производства.
Также следует отметить, что два таких гиганта как NEC и Toshiba сделали аналогичные заявления о начале работ над 45 нм чипами несколько месяцев тому назад. Однако Intel смогла первой представить рабочие образцы.