Ученые из исследовательского центра Samsung смогли решить проблему высокой проводимости графена.
Потенциально графеновые транзисторы могут обладать большой производительностью. Этот материал рассматривается в качестве наиболее перспективной замены кремнию. Однако серьезной проблемой стала высокая проводимость графена. Имея полуметаллическую структуру материал по сути просто не способен полностью останавливать поток электронов, а именно это является основной «работой» транзисторов.
Большая работа, проделанная учеными по превращению графена в настоящий полупроводник, привела к еще одной проблеме. Подвижность электронов сократилась в 200 раз. А это уже слишком медленный поток, который не обеспечит достаточно производительности процессора.
В Samsung решили использовать барьер Шоттки, который позволяет соединять металл с полупроводником или в данном случае полуметалл с полупроводником. Это сохраняет достаточный уровень подвижности электронов. В Samsung назвали новые транзисторы – баристорами, соединив два слова: транзистор и барьер. В рамках текущего этапа исследований ученые смогли изготовить баристоры и добиться выполнения ими основных операций.
Теперь в Samsung нужно добиться воплощения баристоров в наномасштабах на графеновых подложках и создать технологию производства чипов на их базе.
