Intel и Numonyx, совместное предприятие производителя процессоров и STMicroelectonics, объявили о создании нового типа памяти с изменяемой фазой. Новая технология обещает более компактные и емкие модули. Параллельно с Intel работу над аналогичным проектом ведет Samsung.
В новом типе памяти к каждой из ячеек протянут "провод", с помощью которого компьютер непосредственно может контролировать запись бита в них. Кроме того, производственный процесс позволяет накладывать слои памяти один на один, что позволяет увеличить емкость чипа при сохранении того же объема. В качестве материала для памяти используется стекло, а 0 и 1 записываются путем изменения его молекулярного состояния.
Новая технология позволяет комбинировать в одном модуле свойства оперативной памяти и флэш. Теоретически это может привести к упрощению конструкции компьютера, который получит единую память, вместо иерархии запоминающих устройств. То есть один и тот же модуль будет служить и накопителем и ОЗУ одновременно.
Идея памяти с изменяемой фазой уходит своими корнями в семидесятые. Однако только сейчас производителям удалось создать рабочие прототипы.