AMD представляет EUV-литографию

Логотип AMDКомпания AMD совместно с IBM, своим партнером в области исследований, объявила сегодня об изготовлении "полномасштабного" пробного рабочего образца микросхемы, в которой первый слой металлических соединений создан с помощью EUV-литографии (литографии с использованием жесткого ультрафиолетового излучения). Предыдущие образцы, полученные с помощью EUV-литографии, не были "полномасштабными", поскольку при их производстве EUV-литография была задействована лишь для малой части микросхемы. Результаты совместной работы AMD, IBM и их партнеров из UAlbany NanoCollege’s Albany NanoTech Complex были представлены доктором Бруно Ла Фонтеном (Bruno La Fontaine) из AMD на первой в отрасли конференции по литографии, которая состоялась 26 февраля. Он рассказал об успешной "полномасштабной" интеграции EUV-литографии в производственный процесс пробного образца микросхемы AMD размерами 22 х 33 мм, изготовленной с помощью 45-нм технологии.

"Эта важная демонстрация потенциала EUV-литографии, которая будет использоваться в полупроводниковом производстве в грядущие годы, вдохновляет всех нас, работающих в отрасли, пользующейся преимуществами все более мелких полупроводниковых элементов", - сказал Ла Фонтен. – "Хотя предстоит еще немалая работа, прежде чем EUV-литография сможет использоваться в крупномасштабном производстве, компания AMD показала, что технология может быть успешно интегрирована в процесс производства полупроводниковых элементов для создания первого слоя металлических межсоединений по всей микросхеме".

"Совместные исследования очень важны для достижения успехов в полупроводниковой отрасли", - отметил Девид Медейроз (David Medeiros), руководитель группы партнерских исследований IBM в городе Олбани (штат Нью-Йорк). – "Наши совместные исследования в Олбанском центре позволяют нам интегральным образом оценить разнообразные аспекты EUV-инфраструктуры и послужат настоящим тестом готовности этой технологии к внедрению на производство".

Литография позволяет переносить на множество слоев кремниевой подложки высокосложные микросхемы с миллионами транзисторов. В то время как проектировщики микросхем продолжают добавлять новые функции и повышать производительность своей продукции, сокращение размеров транзисторов позволяет умещать все большее их количество в пределах заданной области. То, насколько миниатюрными могут быть транзисторы и их соединения, напрямую зависит от длины волны света, используемого для переноса схемы на подложку. В EUV-литографии используется длина волны 13,5 нм, которая значительно короче применяемой сегодня в литографии длины волны 193 нм. Это позволяет и дальше уменьшать размеры микросхем.

Сначала пробная микросхема AMD прошла обработку на фабрике AMD Fab 36 в Дрездене (Германия), где используется 193-нм иммерсионная литография, являющаяся сегодня самым передовым литографическим инструментом в крупномасштабном производстве. Затем подложка с пробной микросхемой была передана в исследовательский центр IBM, находящийся в университете College of Nanoscale Science and Engineering (CNSE) в Олбани (штат Нью-Йорк), где AMD и IBM со своими партнерами использовали сканер EUV-литографии компании ASML. С помощью этого сканера, установленного в рамках партнерской программы ASML, IBM и CNSE, был перенесен первый слой металлических соединений между транзисторами, изготовленными в Германии. После переноса, травления, осаждения и прочих технологических этапов, структура, полученная с помощью EUV-литографии, прошла электрическое тестирование в AMD. Она показала характеристики, прекрасно согласующиеся с характеристиками пробной микросхемы, изготовленной с использованием только 193-нм иммерсионной литографии. На пробные подложки будут нанесены дополнительные слои внутренних соединений с помощью стандартной фабричной обработки, что позволит также протестировать крупные массивы памяти.

Следующим шагом проверки применимости EUV-литографии в производстве станет ее использование не только для металлических межсоединений, но и для всех слоев микросхемы. Это покажет, что весь рабочий микропроцессор может быть изготовлен с помощью EUV-литографии. EUV-литография должна быть полностью проверена и допущена к производству до 2016 года, на который запланировано введение 22-нм технологического процесса в рамках проекта International Technology Roadmap for Semiconductors.

Теги: AMD, IBM

Комментарии
Добавить комментарий

Введите имя:
Войти от:
или
Ваш комментарий:


Введите код:

E-mail (не обязательно)
Адрес электронной почты не предназначен к показу и будет использован только для уведомлений об ответах


Последние новости

 
Ранее выпущенные аппараты на базе Windows 10 не получат поддержку эмулятора х86
 
По слухам, Intel и AMD подписали лицензионное соглашение
 
Новый флагман Samsung появится в продаже в марте-апреле 2017 года
 
Surface Pro 5 может стать первым планшетом с eSIM от Microsoft
 
Компания представила несколько инициатив, которые в состоянии изменить рынок ПК
 
Для гарнитуры потребуется компьютер на базе Intel Core i5 7200U с 8 Гбайтами ОЗУ
 
Они могут программировать действия для голосового ассистента компании
 
Компания запатентовала круглый беспилотник с камерой и ножками

9 главных приемов для контактов Android
Все о работе с контактами на Android
4 декабря 2016 /
Дешевый водонепроницаемый смартфон - Motorola Moto G (3rd)
Смартфон с интересным дизайном и отличной камерой
22 ноября 2016 /
Смартфон со сканером отпечатка пальца - Lenovo Vibe K5 Note
Доступный смартфон с хорошими характеристиками
13 ноября 2016 /
Windows 10 Creators Update. Первый взгляд
Что будет в новой системе от Microsoft, которая выйдет весной 2017 года
4 ноября 2016 /
Как использовать планшет как навигатор
Все о приложениях для навигации, креплениях и зарядке планшета в автомобиле
30 октября 2016 / 1
Смартфон, который получит Android 7 - Motorola Moto G4
Moto G4 — удачное возвращение под китайским флагом культового бренда
24 октября 2016 /
 
 

Архив новостей

 
 
ПнВтСрЧтПтСбВс
   1234
567891011
12131415161718
19202122232425
262728293031 





Опрос

Нужен ли OLED-экран iPhone?
или оставить собственный вариант в комментариях

Статистика